Танталовый лист 0,9х50х100 мм ТВЧ в Орске

Оба типа танталового листа, ТВЧ и ТаВ, подвержены коррозии в расплавленных щелочах, особенно при высоких температурах. Тантал вступает в реакцию с щелочами, образуя танталаты. Различия в устойчивости между ТВЧ и ТаВ будут незначительными и зависят от конкретного состава и температуры щелочи.

Особенности обработки поверхности танталового листа для улучшения адгезии покрытий включают механическую очистку (шлифовка, пескоструйная обработка), химическое травление (для удаления оксидов и жиров) и активацию поверхности. Целью является создание чистой, слегка шероховатой поверхности без загрязнений.

Для применения танталового листа в контакте с газами при очень высоких давлениях существуют ограничения, связанные с поглощением газов (водорода, кислорода, азота) при повышенных температурах. Это может привести к охрупчиванию материала, снижению его пластичности и прочности. Необходимо тщательно контролировать чистоту газовой среды.

Танталовый лист обладает высокой стойкостью к большинству органических растворителей. Температура окружающей среды обычно мало влияет на скорость коррозии тантала в этих средах, так как они не взаимодействуют с его пассивной оксидной пленкой. Однако, при очень высоких температурах могут проявляться специфические реакции.

Танталовый лист может быть интегрирован в системы защиты от электромагнитного излучения благодаря своим свойствам поглощения. Его плотность и атомный номер делают его эффективным материалом для экранирования электромагнитных полей и рентгеновского излучения в электронных устройствах и медицинском оборудовании.

Предел текучести танталового листа марки ТаВ (тантал-ниобиевый сплав) обычно выше, чем у чистого тантала марки ТВЧ, и может составлять от 150 до 300 МПа, в зависимости от точного содержания ниобия и состояния поставки. Этот показатель характеризует начало пластической деформации.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.